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太陽能(néng)光(guāng)伏組件(jiàn)
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産品詳情
1輸出功率
大家常說,選用255Wp太陽能(néng)組件(jiàn)。下(xià)列的“p”為(wèi)peak的簡稱,意味著(zhe)其最高(gāo)值輸出功率為(wèi)255W。全部的技(jì)術(shù)規格書上(shàng)都會(huì)标明“規範檢測标準”的。
僅有在規範檢測标準(STC标準,輻照(zhào)度為(wèi)1000W/m2,電(diàn)池溫度25℃,AM=1.5)時,太陽能(néng)組件(jiàn)的功率才算(suàn)是“允差輸出功率”(250W)。當輻照(zhào)度和溫度轉變時,輸出功率毫無疑問會(huì)轉變。此外,輸出功率偏差為(wèi)正負極3%,表明部件(jiàn)的實際功率是242.5~257.5W全是提高(gāo)的。但是,這一(yī)部件(jiàn)的輸出功率誤差為(wèi)正誤差3%。
在非标标準下(xià),太陽能(néng)組件(jiàn)的功率一(yī)般并不是允差輸出功率,下(xià)面的圖為(wèi)NOCT标準下(xià)允差輸出功率為(wèi)250W、255W的主要參數。
2光(guāng)學轉換高(gāo)效率
1)高(gāo)效率的計算(suàn)方式
理論上(shàng),規格、允差輸出功率同樣的部件(jiàn),高(gāo)效率肯定是同樣的。太陽能(néng)組件(jiàn)是由電(diàn)池片構成,一(yī)塊太陽能(néng)組件(jiàn)一(yī)般 由60片(6&TImes;10)或72片(6&TImes;10)電(diàn)池片構成,總面積各自(zì)為(wèi)1.638m2(0.991m&TImes;1.651m)和3.895m2(0.991m&TImes;1.956m)。
輻照(zhào)度為(wèi)1000W/m2時,1.638m2部件(jiàn)上(shàng)接受的輸出功率為(wèi)1638W,當輸出為(wèi)250W時,高(gāo)效率為(wèi)15.3%,255W時為(wèi)15.6%。
3工(gōng)作電(diàn)壓與溫度系數
工(gōng)作電(diàn)壓分開(kāi)路(lù)電(diàn)壓和MPPT工(gōng)作電(diàn)壓,溫度系數分工(gōng)作電(diàn)壓溫度系數和輸出功率溫度系數。在開(kāi)展串聯和并聯設計方案時,要用開(kāi)路(lù)電(diàn)壓、工(gōng)作标準電(diàn)壓、溫度系數、本地極端化溫度(最好日間)開(kāi)展較大開(kāi)路(lù)電(diàn)壓和MPPT工(gōng)作電(diàn)壓範疇的測算(suàn),與逆變電(diàn)源開(kāi)展配對。
危害太陽能(néng)光(guāng)伏組件(jiàn)負荷率的好多(duō)個(gè)要素
1熱斑效應
一(yī)串連環路(lù)中被遮掩的太陽能(néng)電(diàn)池部件(jiàn),将被作為(wèi)負荷耗費(fèi)别的有陽光(guāng)照(zhào)射的太陽能(néng)電(diàn)池部件(jiàn)所造成的動能(néng),被遮掩的太陽能(néng)電(diàn)池部件(jiàn)這時會(huì)發燙,這就(jiù)是熱斑效應。
這類效用能(néng)比較嚴重的毀壞太陽能(néng)電(diàn)池。有陽光(guāng)照(zhào)射的太陽能(néng)電(diàn)池所造成的一(yī)部分動能(néng),都很有可能(néng)被遮掩的充電(diàn)電(diàn)池所耗費(fèi)。而導緻熱斑效應的,很有可能(néng)隻是是一(yī)塊樹膠。
以便避免 太陽能(néng)電(diàn)池因為(wèi)熱斑效應而遭到(dào)毀壞,最好是在太陽能(néng)電(diàn)池部件(jiàn)的正負間串聯一(yī)個(gè)旁通(tōng)二極管,以防止陽光(guāng)照(zhào)射部件(jiàn)所造成的動能(néng)被受遮掩的部件(jiàn)所耗費(fèi)。當熱斑效應比較嚴重時,旁通(tōng)二極管很有可能(néng)會(huì)被穿透,令部件(jiàn)損壞.
2PID效用
電(diàn)位差引起衰減系數效用是锂電(diàn)池組件(jiàn)長(cháng)期性在高(gāo)電(diàn)壓功效下(xià),使夾層玻璃、封裝原材料中間存有洩露電(diàn)流,很多(duō)正電(diàn)荷阻擊在電(diàn)池片表層,促使充電(diàn)電(diàn)池表層的鈍化處理實際效果惡變,造成 部件(jiàn)特性小(xiǎo)于設計規範。PID狀況比較嚴重時,會(huì)造成一(yī)塊部件(jiàn)輸出功率衰減系數50%之上(shàng),進而危害全部組串的輸出功率輸出。高(gāo)溫、高(gāo)低(dī)溫、高(gāo)鹽土(tǔ)的沿海城(chéng)市(shì)容易産生(shēng)PID狀況。
導緻部件(jiàn)PID狀況的緣故關鍵有下(xià)列三個(gè)層面:
1)控制系統設計緣故:太陽能(néng)發電(diàn)站(zhàn)的防雷接地線是根據将矩陣邊沿的部件(jiàn)外框接地裝置完成的,這就(jiù)導緻在單獨部件(jiàn)和外框中間産生(shēng)偏壓,部件(jiàn)所處偏壓越高(gāo)而産生(shēng)PID狀況越比較嚴重。針對P型晶矽部件(jiàn),根據有變電(diàn)器(qì)的逆變電(diàn)源負級接地裝置,清除部件(jiàn)外框相(xiàng)對性于電(diàn)池片的順向偏壓會(huì)合理的防止PID狀況的産生(shēng),但逆變電(diàn)源負級接地裝置會(huì)提升相(xiàng)對的系統軟件(jiàn)基本建設成本費(fèi);
2)太陽能(néng)組件(jiàn)緣故:高(gāo)溫、高(gāo)低(dī)溫的外部自(zì)然環境促使電(diàn)池片和接地裝置外框中間産生(shēng)洩露電(diàn)流,封裝原材料、側闆、夾層玻璃和外框中間産生(shēng)了洩露電(diàn)流安全通(tōng)道。根據應用更改絕緣層膠紙(zhǐ)丁二烯醋酸乙烯酯(EVA)是完成部件(jiàn)抗PID的方法之一(yī),在應用不一(yī)樣EVA封裝膠紙(zhǐ)标準下(xià),部件(jiàn)的抗PID特性會(huì)存有差别。此外,太陽能(néng)組件(jiàn)中的夾層玻璃關鍵為(wèi)鈣鈉玻璃,夾層玻璃對太陽能(néng)組件(jiàn)的PID狀況的危害迄今尚不确立;
3)電(diàn)池片緣故:電(diàn)池片方塊電(diàn)阻的勻稱性、減反射層的薄厚和折光(guāng)率等對PID特性都擁有 不一(yī)樣的危害。
隐裂是電(diàn)池片的缺點。因為(wèi)分子結構的本身特點,晶矽電(diàn)池片十分非常容易産生(shēng)裂開(kāi)。晶體矽部件(jiàn)生(shēng)産制造的生(shēng)産流程長(cháng),很多(duō)階段都很有可能(néng)導緻電(diàn)池片隐裂(據西(xī)安交通(tōng)大學楊宏教師(shī)的材料,僅充電(diàn)電(diàn)池生(shēng)産制造環節就(jiù)大約200種緣故)。隐裂造成的實質緣故,可梳理為(wèi)在矽單晶上(shàng)造成了機(jī)械設備地應力或焊接應力。
近些年(nián),晶矽部件(jiàn)生(shēng)産廠家以便控制成本,晶矽電(diàn)池片一(yī)直向愈來愈薄的方位發展趨勢,進而減少了電(diàn)池片避免 機(jī)械設備毀壞的工(gōng)作能(néng)力。
二零一(yī)一(yī)年(nián),法國(guó)ISFH發布了她們的科學研究結果:依據電(diàn)池片隐裂的樣子,可分成5類:樹形結構裂痕、綜合性裂痕、斜裂痕、平行面于主栅線、垂直平分栅線和圍繞全部電(diàn)池片的裂痕。
不一(yī)樣的隐裂,對電(diàn)池片作用導緻的危害是不一(yī)樣的。對電(diàn)池片作用危害較大的,是平行面于主栅線的隐裂(第四類)。依據科學研究結果,50%的無效片來自(zì)于平行面于主栅線的隐裂。45°歪斜裂痕(第三類)的高(gāo)效率損害是平行面于主栅線損害的1/4。垂直平分主栅線的裂痕(第5類)幾乎不危害細栅線,因而導緻電(diàn)池片無效的總面積基本上(shàng)為(wèi)零。
 
有科學研究數據顯示,太陽能(néng)光(guāng)伏組件(jiàn)中某單獨電(diàn)池片的無效總面積在8%之内時,對部件(jiàn)的輸出功率危害并不大,部件(jiàn)中2/3的斜花紋對部件(jiàn)的輸出功率平穩沒有危害。
太陽能(néng)組件(jiàn)特性的檢驗
太陽能(néng)發電(diàn)站(zhàn)運作一(yī)段時間後,必須開(kāi)展檢驗,來明确太陽能(néng)發電(diàn)站(zhàn)的特性。涉及到(dào)太陽能(néng)組件(jiàn)的,關鍵包括下(xià)列新項目。
1輸出功率衰減系數檢測
太陽能(néng)組件(jiàn)運作一(yī)年(nián)和25年(nián)之後的衰減系數率究竟有多(duō)少?25年(nián)長(cháng)時間,如今很有可能(néng)都還(hái)沒運作那麽長(cháng)期的發電(diàn)廠。按國(guó)家行業(yè)标準,晶矽電(diàn)池2年(nián)的衰減系數率應當在3.2%之内。但現階段這一(yī)數據信息還(hái)确實不好說,緣故有三:
1)太陽能(néng)組件(jiàn)登場輸出功率是用試驗室規範燈源和接口測試校準的,但好像中國(guó)不一(yī)樣生(shēng)産廠家的規範燈源是存有一(yī)定的差别的。那在A廠校準的250W的部件(jiàn),來到(dào)B廠,很有可能(néng)便是245W的部件(jiàn)的。
2)當場檢驗常用的儀器(qì)設備精準度較弱,聽說5%之内的偏差全是能(néng)夠 接納的。用偏差5%的儀器(qì)設備,測2%(一(yī)年(nián))的衰減系數,難度系數一(yī)些大,結果也讓人猜疑。
3)當場的檢測标準跟試驗室的相(xiàng)距很大,恰好在1000W/m2、25℃的時間太少了!因此,就(jiù)必須開(kāi)展一(yī)個(gè)檢測值向指标值的轉換,而功率與輻照(zhào)度僅在一(yī)個(gè)不大的區段内成正比。如圖2所顯示,即便在800W/m2時,也不是成正比的。因而,在轉換的情況下(xià),毫無疑問存有偏差。
 
太陽能(néng)光(guāng)伏組件(jiàn)出現難題時,部分電(diàn)阻器(qì)上(shàng)升,該地區溫度便會(huì)上(shàng)升。EL檢測儀如同大家常規體檢中的X光(guāng)機(jī)一(yī)樣,能(néng)夠 對太陽能(néng)組件(jiàn)開(kāi)展常規體檢——根據紅(hóng)外線圖象拍攝,依據溫度不一(yī)樣,圖象展現不一(yī)樣的色調,進而很容易的發覺太陽能(néng)組件(jiàn)的許多(duō)難題:隐裂、熱斑、PID效用等。
太陽能(néng)組件(jiàn)在運送、運送、安裝等全過程中,非常容易被爬行、碰撞,造成 部件(jiàn)造成不容易發覺的隐裂,巨大危害部件(jiàn)功率。
所述檢驗外,對部件(jiàn)的外型查驗也十分關鍵。如部件(jiàn)側闆刮痕、變黃、鼓包,射頻連接器(qì)掉下(xià)來等。
最近太陽能(néng)組件(jiàn)價錢(qián)變化
太陽能(néng)發電(diàn)站(zhàn)受現行政策危害,會(huì)在某一(yī)時間段集中化建成投産。因而,導緻一(yī)年(nián)内對上(shàng)下(xià)遊的要求轉變十分大。

上(shàng)一(yī)條:太陽能(néng)闆

下(xià)一(yī)條:碲化镉薄膜光(guāng)伏組件(jiàn)

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